ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД (стибнид галлия) GaSb, светлосерые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,609593 нм); т. пл. 712°С; плота. 5,6137 г/см3 (20°С); С° 48,6 Дж/(моль*К); 65,19 кДж/моль, -44,2 кДж/моль; So298 76,17 ДжДмоль • К); при высокомдавлении существует тетрагон, модификация; тройная точка: т-ра 385 °С, давл. 5,58 ГПа; температурный коэф. линейного расширения 6,7*10-6 К-1; теплопроводность 35Вт/(м*К) (27 °С);= 15,69. Полупроводник; при 27 °С ширина запрещенной зоны 0,79 эВ, подвижность электронов 4000 см2 /(В*с), дырок 800 см2 /(В-с); эффективная масса электронов проводимости me = 0,45m0 (m0-масса свободного электрона). Галлия антимонид устойчив на воздухе и в воде, медленно взаимод. с минеральными к-тами и конц. р-рами щелочей.
Получают GaSb сплавлением Ga с 5%-ным избытком Sb
в атмосфере Н, в кварцевых или графитовых контейнерах, после чего GaSb
гомогенизируют зонной плавкой. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского
в атмосфере Н2. Галлия антимонид-полупроводниковый материал для СВЧ-диодов,
транзисторов, микроволновых детекторов и др. П. И. Федоров.
===
Исп. литература для статьи «ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД»: нет данных
Страница «ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД» подготовлена по материалам химической энциклопедии.