ИНДИЯОКСИДЫ. Сесквиоксид In2О3 - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,01194 нм, z = 16, пространств. группа Ia3): плотн. 7,18 г/см3. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексаген. решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с = 1,4510 нм, z = 6, пространств. группа R3с); плотн. 7,3 г/см3. Т. пл. 1910°С; выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In2O и O2; т. кип. - 3300 °С; C°p 92 Дж/(моль.К); DH0пл 84 кДж/моль, DH0возг 272 кДж/моль, DH0обр — 926 кДж/моль; S0298 108 Дж/(моль.К); ур-ние температурной зависимости давленияпара: lgр(в гПа) = 16,478 - 27791/Т. Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления О2; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости.
In2О3 не раств. в воде. При нагр. легко взаимод. с минер. к-тами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н2 и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатамиметаллов - индаты, напр. NaInO2.
Получают In2О3 прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присут. О2, термич. разложением паров ацетилацетоната In и др. In2О3 основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO2) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал.
Гемиоксид In2О - черное твердое в-во; т. пл. ~325°С; плотн. 6,99 г/см3; для газа DH0обр — 55 кДж/моль. Легко окисляется; с к-тами реагирует с выделением Н2. М. б. получен (в смеси с In и In2О3) термич. разложением In2(С2О4)3. Пары In2О образуются при нагр. смеси In с In2О3, ур-ние температурной зависимости давленияпара: lgp (в гПа) = 10,58 - 13150/T.
Соответствующий In2О3гидроксид In(ОН)3 - бесцв. кристаллы с кубич. решеткой; плотн. 4,33 г/см3. Свежеосажденный гидроксид легко взаимод. с разб. минеральными и нек-рыми орг. к-тами. С разб. р-рами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С конц. р-рами щелочей образует индаты. Выше 200 °С разлагается до In2О3. Получают действием NH3 на р-ры In(NO3)3, подкисленные уксусной к-той. Используют для получения In2О3 и др. соединений In.
Лит. см. при ст. Индий. П. И. Федоров.
=== Исп. литература для статьи «ИНДИЯОКСИДЫ»: нет данных