Локальный анализ
ЛОКАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ, определение хим. состава микрообъемов или тонких слоев твердого тела. Осн. метрологич. характеристика - локальность, т.е. площадь или объем области, в к-рой возможно обнаружение или определение хим. элемента с заданной погрешностью. Размер этой области по глубине наз. продольной локальностью (L||), вдоль пов-сти -поперечной (L^). Анализ с низкими значениями L|| и высокими L^, осуществляемый на разл. глубине, наз. послойным. Объектами локального анализа могут быть: реальная пов-сть (L|| = 1-10 нм); субмикронный слой (L|| = 10-1000 нм); поверхностный слой (L|| = 1-100 мкм); субмикронное включение (L^ = 10-1000 нм); микровключение и микроучасток (L^ = 1-100 мкм). Реальную пов-сть анализируют методами оже-спектроскопии, рентгеноэлектронной спектроскопии, спектроскопии рассеяния медленных ионов (см. Ионного рассеяния спектроскопия), масс-спектрометрии вторичных ионов в статич. режиме (см. Ионный микроанализ). Обычно анализ проводят в высоком вакууме (10-7-10-8 Па) с помощью установок, позволяющих одновременно использовать неск. аналит. методов. В тех же установках проводят разрушающий послойный анализ субмикронных и поверхностных слоев, удаляя слои ионным травлением, лазером, искровым разрядом, хим. или электрохим. растворением. Затем определяют элементы в газовой фазе, р-ре или на протравленной пов-сти. Локальный анализ субмикронных и поверхностных слоев проводят методами рентгеноспектрального анализа (см. Электронно-зондовые методы), катодолюминесцентного микроанализа, спектроскопии рассеяния быстрых ионов (резерфордовского рассеяния), масс-спектрометрии вторичных ионов в динамич. режиме, оже-спектроскопии и др. При послойном анализе субмикронных слоев без разрушения образец бомбардируют заряженными частицами (электронами, ионами). В зависимости от их энергии меняется глубина, на к-рой происходят процессы, приводящие к появлению аналит. сигнала - рентгеновского излучения, резонансных ядерных р-ций, резерфордовского рассеяния и др. Послойный анализ можно также проводить, варьируя угол отбора, т.е. угол, под к-рым к исследуемой пов-сти располагается приемник аналит. сигнала.Литература
Методы анализа поверхностей, пер. с англ., М., 1979; Гимельфарб Ф. А.. Шварцман С. Л., Современные методы контроля композиционных материалов, М., 1979; Черепин В. Т., Васильев М. А., Методы и приборы для анализа поверхностных материалов. Справочник, К., 1982; Нефедов В. И., Черенин В. Т., Физические методы исследования поверхности твердых тел. М., 1983; Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ, пер. с англ., М., 1984. Ф. А. Гимельфарб.
Ещё по теме
Методы структурного анализа в химии
Рентгеновский структурный анализ — принципы и применение
Физические методы анализа в химии
Электронно-зондовые методы исследования
Физико-химические методы анализа в химии
Следов анализ — методы и применение
Спектральный анализ — принципы и применение
Ультрамикроскопия — метод наблюдения коллоидных частиц
Фотометрический анализ — основы и методы
Элементный анализ — методы и применение
Спектроскопия отражения — методы и применение
Масс-спектроскопия — принципы и применение