ФОСФИДЫ, соединения
фосфора с более электроположит. элементами. По типу хим. связи фосфиды подразделяют
на соед. с преим. ионной связью, металлоподобные и с преим. ковален-тной связью.
К ионным относятся фосфиды щелочных и щел.-зем. элементов и металлов подгруппы цинка.
Эти фосфиды легко гидролизуются водой, хорошо раств. в к-тах с выделением PH3,
сгорают в токе O2 с образованием оксидов металлов и P, реагируют
с галогенами. Нек-рые из них обладают полупроводниковыми св-вами из-за того,
что в межатомной связи присутствует определенная доля ковалентной составляющей.
Металлоподобные фосфиды образуют гл. обр. переходные металлы, в т. ч. РЗЭ. Их состав,
как правило, не соответствует валентностям образующих их элементов. Эти фосфиды тугоплавки,
устойчивы к действию воды и K-T. Их хим. стойкость растет с увеличением содержания
P. Так, Ni3P, Cr3P, Fe3P, Ti3P легко
разлагаются к-тами-окислителями (H2SO4, HNO3,
HClO4), а также щелочами. В то же время фосфиды состава TiP, VP, TaP,
CrP, FeP, MnP не взаимод. с конц. соляной к-той и к-тами-окислителями. Они раств.
при нагр. в царской водке. Все металлоподобные фосфиды разлагаются смесью HF и HNO3
и при сплав-лении с щелочами и пероксидами металлов. Многие из них -полупроводники
благодаря тому, что в хим. связь вносит определенный вклад ковалентная составляющая.
Ковалентные фосфиды образуются
непереходными элементами III и IV гр. периодич. системы (кроме Tl). Они тугоплавки,
их хим. стойкость к воде и др. агрессивным средам сильно зависит от чистоты
образца. Особенно устойчивы высоко чистые в-ва. Все твердые ковалентные фосфиды-
полупроводники, ширина запрещенной зоны к-рых тем больше, чем выше доля ионной
связи в них. Типичные полупроводниковые фосфиды этой группы представляют собой координац.
соед., в к-рых помимо простых ковалентных связей присутствуют донор-но-акцепторные
связи. При этом атом P - донор, а атомы более электроположит. элемента - акцепторы
электронной пары.
Фосфиды полуметаллов и неметаллов
также гл. обр. ковалентные соед. Они м. б. газами (напр., PH3), твердыми
в-вами; по электрофиз. св-вам - диэлектриками или полупроводниками. Типичный
диэлектрик - BP. Он устойчив к действию к-т-окислителей и щелочей. Другие фосфиды
этой группы, напр. AlP и SiP, не обладают большой стойкостью к действию хим.
реагентов.
Св-ва нек-рых фосфидов представлены
в табл. Фосфиды активных металлов - солеобразные в-ва, фосфиды металлов подгруппы Zn,
у к-рых полностью заполнены (п — 1)d-орбитали,- полупроводники.
В случае переходных металлов с незаполненными полностью (п— 1)d-орбиталями
фосфиды могут быть как полупроводниками, так и металлоподобными. Для последних характерно
относительно меньшее содержание P в формульной единице. При этом ферромагн.
металлы могут образовывать и ферромагн. фосфиды, напр. Fe3P и CoP. Типичные
полупроводники - фосфиды элементов групп Ша и IVa (GaP, InP, SiP, GeP).
СВОЙСТВА НЕКОТОРЫХ
ФОСФИДОВ |
||||||
Соединение |
Сингония |
T. пл., 0C |
кДж/моль |
Ширина запрещенной
зоны, эВ |
||
K3Pа..
...... |
Гексагон. |
Разлагается |
— |
— |
||
Mg3Pа...... |
Кубич. |
Разлагается |
-254,3 |
— |
||
Zi3P2б....... |
Тетрагон. |
883 |
-194,9 |
1,15 |
||
Cd3P2б...... |
" |
739 |
-155,2 |
0,58 |
||
Cu3Pв. |
Гексагон. |
1022 |
-150,6 |
— |
||
CuP2б....... |
Моноклинная |
891 |
-121,3 |
1,4 |
||
BPг......... |
Кубич. |
2250 |
-395,7 |
4,5 |
||
GaPб
....... |
" |
1465 |
-102,5 |
2,25 |
||
InPб
. |
" |
1062 |
-84,5 |
1,28 |
||
SiPб.
........ |
Ромбич. |
1170 |
-79,1 |
2,4 |
||
GePб........ |
Моноклинная |
725 |
-175,4 |
1,0 |
||
TiPв.
........ |
Гексагон. |
1990е |
-282,8 |
— |
||
Cr3Pв.
....... |
Тетрагон. |
1510 |
— |
— |
||
CrPб........ |
Ромбич. |
1600 |
— |
0,8 |
||
MnPб |
" |
1147е |
— |
1,1 |
||
Mn3Pв.
...... |
Тетрагон. |
1105 |
— |
— |
||
FePб........ |
Ромбич. |
— |
-121,3 |
1,0 |
||
Fe3Pд
....... |
Тетрагон. |
1166е |
-164,0 |
— |
||
CoPд |
Ромбич. |
1520 |
-146,4 |
— |
||
Co2Pв....... |
" |
1386 |
-196,2 |
— |
||
Ni3Pв
....... |
Тетрагон. |
1025 |
-219,2 |
— |
||
Ni2Pв
....... |
Гексагон. |
1106 |
-184,1 |
— |
||
ZnGeP2
б ..... |
Тетрагон. |
1250 |
— |
2,2 |
||
CdSiP2б..... |
" |
1200 |
— |
1,8 |
||
а Солеобразен.
б Полупроводник. в Металлоподобен.г
Диэлектрик. д Ферромагнетик. е С разложением.
Осн. метод получения фосфидов-
синтез из простых в-в в вакууме, атмосфере инертного газа или под давлением
паров P. Можно также получать фосфиды взаимод. PH3 с металлами или их
оксидами, карботермич. восстановлением фосфатов, обменной фосфи-дизацией (р-ция
металла или его хлорида с др. фосфидом) и т. д. Наиб. практич. применение нашли галлия
фосфид и индия фосфид как полупроводниковые и оптоэлектронные материалы.
SiP используют для легирования монокристаллов Si. Перспективные полупроводниковые
материалы - тройные фосфиды, напр. ZnSiP2, CdGeP2. Соед. Cu3P
применяют как раскислитель в произ-ве бронз, для пайки латуни вместо серебряного
припоя.
Zn3P2
и Cu3P - полупроводниковые материалы, Zn3P2
- также зооцид. Фосфиды железа и Ni употребляют для создания износостойких покрытий
на деталях машин. Благодаря самопроизвольному выделению горючих фосфинов во
влажном воздухе Mg3P2 и Ca3P2 являются
компонентами спец. сигнальных устройств и пиротехн. составов. Фосфиды
токсичны из-за выделения PH3.
ПДК для Cu3P
0,5 мг/м3, для Zn3P2 0,1 мг/м3.
Лит.: Самсонов Г.В.,
Верейкина Л.Л., Фосфиды, К., 1961; Кри-сталлохимические, физико-химические и
физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, M., 1973; Угай Я.
А., Введение в химию полупроводников, 2 изд., M., 1975; Гончаров E. Г., Полупроводниковые
фосфиды и арсениды кремния и германия, Воронеж, 1989. Я. А. Угай.